Chapter 2; Sub Chapter 3.2 kontruksi transistor

DAFTAR ISI 

1. Tujuan

2. Alat dan Bahan

3. Dasar Teori

4. Percobaan

5. Rangkaian Simulasi

6. Video

7. Problem

8. Example

9. Pilihan Ganda

10. Link Download

1. Tujuan [kembali]

• mengetahui kontraksi transistor

• mengetahui apa itu transistor bipolar

• mengetahui apa itu transistror npn dan pnp

2. Alat dan Bahan [kembali]

1. Transistor NPN tipe BD 139 2 buah

transistor ini adalah suatu komponen elektronika yang berfungsi sebagai switch elektronik. pada NPN, akan aktif jika pada basis nya kita beri tegangan.

 

2. Transistor PNP tipe BD 140 2 buah

 

transistor ini adalah suatu komponen elektronika yang berfungsi sebagai switch elektronik.PNP akan aktif jika  pada basis akan aktif jika kita beri GND.

 3. Resistor 1 KOhm 4 buah

 Resistor adalah salah satu komponen elektronika pasif yang berfungsi menghambat arus yang mengalir pada rangkaian.

 

 

 

4. LED 2 buah

5. Baterai

Baterai 9 V berfungsi sebagai sumber energi listrik yang digunakan  dalam simulasi ini.

 

 

 

6. Terminal ground

 

Sebagai proteksi peralatan elektronik atau instrumentasi sehingga dapat mencegah kerusakan akibat adanya bocor tegangan

3. Dasar Teori [kembali]

• 3.2  KONSTRUKSI TRANSISTOR

Transistor adalah perangkat semikonduktor tiga lapis yang terdiri dari dua lapisan bahan tipe n dan satu p atau dua lapisan bahan p- dan satu jenis n. Yang pertama disebut  transistor  npn, sementara yang terakhir disebut transistor   pnp

Konstruksi Transistor

Transistor tersusun dari komponen semikonduktor bahan tipe P yang diapit oleh dua bahan tipe N (transistor NPN) atau bahan tipe N yang diapit oleh dua bahan tipe P (transistor PNP), sehingga transistor memiliki tiga terminal yang berasal dari masing-masing bahan tersebut. Ketiga terminal transistor yaitu emitor (E), basis (B), dan kolektor (C).

 Transistor NPN adalah salah satu transistor bipolar yang menggunakan arus kecil dan tegangan lebih besar pada terminal basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari kolektor dan emitor. 

Gambar 2. Struktur NPN dan Rangkaian NPN

Transistor PNP adalah salah satu transistor bipolar yang menggunakan arus kecil dan tegangan lebih kecil pada terminal basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari emitor dan kolektor.

Gambar 3. Struktur PNP dan Rangkaian PNP

Arus pada transistor di istilahkan alpha DC (αDC) dan beta DC (βDC). Alpha DC (αDC) adalah perbandingan antara arus IC (kolektor) dengan arus emitor (IE) sedangkan beta DC (βDC) adalah perbandingan antara arus IC dengan arus basis (IB). 

4. Percobaan [kembali]

    a. Prosedur Percobaan:

A. Pembuatan Schema PNP BD 140

1. Masukan komponen seperti Battery, Resistor, Transistor PNP BD 140, LED, Power. Untuk LED itu sendiri boleh menggunakan yang mana saja sesuai keinginan.

2. Sambungkan semua komponen hingga terbentuk suatu rangkaian seperti diatas.

3. Hasilnya akan terlihat seperti dibawah ini

4. Hasilnya ketika di running akan tampak seperti dibawah ini

B. Pembuatan Schema NPN BD 139

1.Masukan komponen seperti Battery, Resistor, Transistor NPN BD 139, LED, Power. Untuk LED itu sendiri boleh menggunakan yang mana saja sesuai keinginan.

2. Sambungkan semua komponen hingga terbentuk suatu rangkaian seperti diatas.

3. Hasilnya akan terlihat seperti dibawah ini

 

4. Hasilnya ketika di running akan tampak seperti dibawah ini

 

    b. Rangkaian Simulasi [kembali]

    c. Video [kembali]

3. kumpulan soal 

7. Problem [kembali]

               1.  Sebuah transistor 2N3298 mempunyai βdc khusus sebesar 90. Jika arus emitter sebesar 10mA, hitunglah kira-kira besarnya arus kolektor dan arus basis.

Dik : βdc = 90 I­E = 10 mA
Dit : IB = …? IC = …?
Jawab :
IB = Ic/ βdc , IC = IE - IB
IB βdc = IE - IB
IB (βdc + 1) = IE , IB ­ = Ie/ βdc+1
IB ­ = 10mA/91= 0.19 mA

  2.Jika arus emitter sebesar 6 mA dan arus kolektor sebesar 5,75 mA, berapakah besarnya arus bias? Berapakah nilai dari αdc ?

    Dik : IE = 6 mA Ic = 5.75 mA
    Dit : IB = ……? αdc = ……?
    Jawab :
    IE = IB +Ic
    IB = IE – Ic IB = 6 – 5.75 = 0.25 mA
    αdcIc/Ie

        αdc = 0,985     

8. Example [kembali]

1. Suatu transistor memiliki IC=10mA & IB=40mA. Berapa gain arus untuk transistor tsb?

 Jawab :  

3. Mengapa wilayah pengumpul lebih luas dari wilayah penghasil di BJT?

jawab:

Di wilayah pengumpul BJT lebih luas dan wilayah basis lebih tipis. Kolektor dibuat lebih lebar sehingga memudahkan pembuangan panas sedangkan basis yang lebih tipis akan meningkatkan nilai β dari transistor.

             

9. Pilihan Ganda [kembali]

                    A. Example

1.Siapa yang pertama kali menemukan sambungan transistor …..

a. Bell                      c. Schockley

c. Faraday                d. Marconi

Jawab : Transistor BJT pertama kali dibuat oleh William Bradford Schockley (c)

2. Dioda emiter biasanya :

 a. Dibiasmajukan                                   b. Dibiasbalikkan

 c. Tidak menghantar                                d. Bekerja pada daerah breakdown

Jawab : a. Dibiasmajukan                                   

    d. Download File [kembali]

Download File Rangkaian -> disini

Download File Video npn -> disini

Download File Video pnp -> disini

Chapter 1; Sub Chapter 1.5 Bahan Ekstrinsi

DAFTAR ISI 

1. Tujuan

2. Alat dan Bahan

3. Dasar Teori

4. Percobaan

5. Rangkaian Simulasi

6. Video 

7. Link Download

1. Tujuan [kembali]

•  Untuk  dapat memahami bahan ekstrinsik

• Untuk dapat mengetahui elektron valensi

• Untuk dapat memahami perangkat semikonduktor bahan tipe-n dan tipe-p

2. Alat dan Bahan [kembali]

A. Alat

• Ground

• DC Voltmeter

• DC generator

• Power Supply

B. Bahan [kembali]

• Sensor Sentuh

Spesifikasi: 

3. Dasar Teori [kembali]

• 1.5 Bahan Ekstrinsik

     Bahan semikonduktor yang telah mengalami proses doping disebut bahan ekstrinsik. Ada dua bahan ekstrinsik yang sangat penting untuk fabrikasi perangkat semikonduktor: tipe-n dan tipe-p.

            Karena atom pengotor yang dimasukkan telah menyumbangkan elektron yang relatif "bebas" ke struktur: Pengotor yang tersebar dengan lima elektron valensi disebut atom donor.

            Penting untuk disadari bahwa meskipun sejumlah besar pembawa "bebas" telah ditetapkan dalam bahan tipe-n, itu masih netral secara elektrik karena idealnya jumlah proton yang bermuatan positif dalam inti masih sama dengan jumlah " bebas ”dan mengorbit elektron bermuatan negatif dalam struktur.

            Hasilnya adalah bahwa pada suhu kamar, terdapat sejumlah besar pembawa (elektron) di tingkat konduksi dan konduktivitas material meningkat secara signifikan.

              Bahan Tipe-p Bahan tipe-p dibentuk dengan doping kristal germanium atau silikon murni dengan atom pengotor yang memiliki tiga elektron valensi.

            Jika elektron valensi memperoleh energi kinetik yang cukup untuk memutuskan ikatan kovalennya dan mengisi kekosongan yang diciptakan oleh sebuah lubang, maka akan tercipta kekosongan atau lubang dalam ikatan kovalen yang melepaskan elektron tersebut.

            Pembawa Mayoritas dan Minoritas Dalam keadaan intrinsik, jumlah elektron bebas di Ge atau Si hanya disebabkan oleh beberapa elektron di pita valensi yang telah memperoleh energi yang cukup dari sumber panas atau cahaya untuk memutuskan ikatan kovalen atau beberapa pengotor yang tidak bisa dilepas.

            Untuk bahan tipe-p jumlah lubangnya jauh melebihi jumlah elektronnya.

4. Percobaan [kembali]

    a. Prosedur Percobaan:

1. 1.Bukalah aplikasi proteus terlebih dahulu.
2. 2.Buka schematic capture, pilih bagian component mode (), dan pada bagian devices klik 'P'.
3. 3.Pastikan kategorinya berada pada all categories agar mudah dalam melakukan pencarian.
4. 4.Ketikkan semua nama bahan komponen yang dibutuhkan dalam rangkaian.
5. 5.Double klik komponen yang kita butuhkan agar komponen tersebut muncul dikolom Devices.
6. 6.Buka bagian Terminals mode ().
7. 7.Pilih terminal yang diperlukan.
8. 8.Setelah semua komponen didapatkan, letakkan komponen pada papan rangkaian.
9. 9.Rangkailah semua komponen sesuai prinsipnya.
10. 10.Klik play () pada bagian kiri bawah aplikasi untuk menjalankan rangkaian simulasi.
11. 11.Saat di play, jika rangkaian simulasi sudah benar dan sesuai, maka akan muncul output ...

    b. Rangkaian Simulasi [kembali]

Foto rangkaian simulasi

TIDAK ADA RANGKAIAN PADA SUB CHAPTER INI

Prinsip kerja rangkaian simulasi [kembali]

    c. Video [kembali]

3. kumpulan soal 

            A.Example

                1. Apa arti dari elektron valensi?

                         jawab :

                          Elektron valensi adalah jumlah elektron yang menempati orbit terluar dari                             struktur atom suatu bahan

                2. Bagaimana untuk memperoleh semikonduktor tipe N?

                        jawab :

                        Bahan semikonduktor tipe N diperoleh dengan cara member doping(pengotoran)     bahan semikonduktor bervalensi lima kepada semikonduktormurni.

                3. Bagaimana untuk memperoleh semikonduktor tipe P?

                        Jawab:

                        Bahan semikonduktor tipe P diperoleh dengan cara member doping(pengotoran)     bahan semikonduktor bervalensi tiga kepada semikonduktormurni

                B. Problem

                    9. Berapa banyak energi dalam joule yang dibutuhkan untuk memindahkan muatan 6 C melalui perbedaan potensial 3 V?

jawaban : 

V = W/q

W = V.q

     = 3 V . 6 C

    = 18 J

12. Jelaskan perbedaan antara bahan semikonduktor tipe-n dan tipe-p

jawaban :

Tipe-N

Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. Kelebihan elektron  membentuk semikonduktor tipe-n. Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan elektron.

Semikonduktor jenis-n → jika bertemu pengotor dari golongan VA, electron sebagai pembawa

mayoritas. Ada electron donor yang dekat dengan pita konduksi (di bawah sedikit).

 

Tipe-P

Kalau silikon diberi doping Boron, Gallium atau Indium, maka akan didapat semikonduktor tipe-p. Untuk mendapatkan silikon tipe-p, bahan dopingnya adalah  bahan trivalen yaitu unsur dengan ion yang  memiliki 3 elektron pada pita valensi. Karena ion silikon memiliki 4 elektron, dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole). Hole ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron. Dengan demikian, kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p.

Semikonduktor jenis-p → jika bertemu pengotor dari golongan IIIA, lubang sebagai pembawa mayoritas. Ada lubang akseptor yang dekat (di atas sedikit) dari pita valensi.

13. Jelaskan perbedaan antara pengotor donor dan akseptor.

jawaban :

Kotoran Donor vs Akseptor
Kotoran donor adalah elemen yang ditambahkan ke donor untuk meningkatkan konduktivitas listrik dari donor itu.	Pengotor akseptor adalah elemen yang ditambahkan ke akseptor untuk meningkatkan konduktivitas listrik akseptor tersebut.
Kotoran Umum
Elemen Grup V.	Elemen kelompok III
Contoh Kotoran
Arsen (As), fosfor (P), bismut (Bi), dan antimon (Sb).	Aluminium (Al), boron (B), dan gallium (Ga)
Proses
Tingkatkan elektron bebas dalam semikonduktor.	Tingkatkan lubang yang ada di semikonduktor.
Elektron Valensi
Atom memiliki lima elektron valensi.	Atom memiliki tiga elektron valensi.
Ikatan kovalen
Membentuk empat ikatan kovalen di dalam semikonduktor, meninggalkan elektron kelima sebagai elektron bebas.	Membentuk tiga ikatan kovalen di dalam semikonduktor, meninggalkan lubang di mana ikatan kovalen hilang.

c               C. PILIHAN GANDA 

                    1. Perhatikan simbol komponen dasar elektronika berikut ini!

                Gambar simbol di atas merupakan simbol …

    A. Register

    B . Kapasitor

    C. Dioda

    D. Transistor

    E. Resistor

    Pembahasan : Jawabannya adalah C.

                    2. Dengan mengubah – ubah derajat doping dari dioda silikon,maka pabrik dapat menghasilkan dioda zener dengan tegangan breakdown sebesar .........

            A. 10 V   

           B . > 200 V                 

            C   . 2 - 200V

            D. < 2 V

            E . 10-20 V

    

            Pembahasan : Pada dasarnya, Dioda Zener akan menyalurkan arus listrik yang mengalir ke arah yang berlawanan jika tegangan yang diberikan melampaui batas “Breakdown Voltage”. Karakteristik ini berbeda dengan Dioda biasa yang hanya dapat menyalurkan arus listrik ke satu arah. Tegangan Tembus (Breakdown Voltage) ini disebut juga dengan Tegangan Zener. Dimana tegangannya berkisar 2-200V. Sehingga jawaban yang tepat adalah C.

    d. Download File [kembali]

Download File Rangkaian -> disini

Download File Video -> disini

Download File Library -> disini 

Download File HTML -> disini

Download File Datasheet Komponen -> disini